ANSI/ASTM E431-1996 半导体及有关器件的射线照相的说明指南
作者:标准资料网 时间:2024-05-02 12:13:48 浏览:9401
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【英文标准名称】:GuidetoInterpretationofRadiographsofSemiconductorsandRelatedDevices
【原文标准名称】:半导体及有关器件的射线照相的说明指南
【标准号】:ANSI/ASTME431-1996
【标准状态】:作废
【国别】:美国
【发布日期】:1996
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国国家标准学会(ANSI)
【起草单位】:
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:射线摄影;元部件;无损检验;半导体
【英文主题词】:non-destructivetesting;components;semiconductors;radiographs
【摘要】:
【中国标准分类号】:L40
【国际标准分类号】:31_080_01
【页数】:
【正文语种】:英语
【原文标准名称】:半导体及有关器件的射线照相的说明指南
【标准号】:ANSI/ASTME431-1996
【标准状态】:作废
【国别】:美国
【发布日期】:1996
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国国家标准学会(ANSI)
【起草单位】:
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:射线摄影;元部件;无损检验;半导体
【英文主题词】:non-destructivetesting;components;semiconductors;radiographs
【摘要】:
【中国标准分类号】:L40
【国际标准分类号】:31_080_01
【页数】:
【正文语种】:英语
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